碳/碳化硅复合材料的真空扩散焊接方法包括以下步骤：

1)抛光C/SiC复合材料待焊面，去除表面SiC层，清洗无水乙醇溶剂中的超声波去油去污，清洗干净，晾干；

2）取厚度为18～70 μm 两块Ti箔，酸洗去除表面氧化膜，厚度为15～60μm的Ni 箔一块，在无水乙醇溶剂中清洗超声波，将初步处理的Ti箱和Ni箱清洗干净，在去离子水中干燥，组合成金属中间层Ti/Ni/Ti结构；

3)金属中间层Ti//Ni/Ti结构放置在两个CISIC复合材料待焊面之间，真空扩散焊炉上下压头之间，压头与C/SIC复合材料之间放置陶瓷阻焊层，施加预压压实；

4)关闭真空扩散焊炉的真空室门，抽真空至6.3×103Pa，0.2～2MPa的焊接压力，然后是5～8°C/min的速度升温到焊接温度1万～1100℃，保温20～120min，然后3～5 ℃/min 将速度降温到500℃后，随炉冷却至室温，卸压。

该方法采用液相渗透实现C/SiC复合材料与C/SiC复合材料的连接。通过Ni基合金粘合剂，粘合剂通过热压渗透到C/SiC复合材料的孔隙中，形成梯度咬合，热压温度为1250～1350℃，压力20MPa或30MPa，时间5～15min或45min。

但该方法仍存在以下不足，一是连接所需温度高达1250～1350℃，二是连接压力高达20MPa或30MPa。发明内容

为了克服现有技术C/SiC复合材料本体连接所需的温度和压力的不足，可以降低C/SiC复合材料本体连接的成本，而无需使用超高温和超高压热压炉。

包括以下步骤：

1）打磨 C/SiC复合材料待焊面应去除表面SiC 在无水乙醇溶剂中，超声波清洗、去油、去污、冲洗、干燥；

2）取厚度为18～70 μm 两个Ti箱酸洗去除表面氧化膜，厚度为15～60μMNi箔在无水乙醇溶剂中清洗超声波，将初步处理的Ti箱和Ni箱清洗干净，在去离子水中干燥，组合成金属中间层Ti/NiTi结构；

3)将金属中间层Ti/NiTi结构放置在两个CSIC复合材料待焊面之间，真空扩散焊炉上下压头之间，压头与C/SIC复合材料之间放置陶瓷阻焊层，施加预压压实；

4)关闭真空扩散焊炉的真空室门，抽真空至6.3×10～Pa，施加0.2～2MPa的焊接压力，然后是5～8℃/min的速度升温到焊接温度1000～1100℃，保温20～120min，然后3～5 ℃/min的速度降到500℃，然后随炉冷却至室温，卸压。

真空扩散焊炉的焊接温度为1000~1100℃，比现有技术要求的1250~1350℃降低250℃；焊接压力为0.2~2 MPa，是现有技术所需压力20MPa或30MPa的1/10，可降低C/SiC复合材料本体连接的成本。

1-下压头，2-陶瓷阻焊层，3-C/SiC复合材料，4-上压头，5-Ti箔，6-Ni箔。具体实施方法

该方法采用焊接材料和结构设计的特殊中间层设计。中间层由Ti//Ni/Ti三层金属箔层叠成，插入CISIC复合材料两个待焊面之间，施加一定的焊接压力，在真空扩散焊炉中加热至焊接温度，并保温一定时间。在此期间，Ti与Ni发生共晶反应，产生低熔点液态金属，即“接触熔化”。与CSIC复合材料中的CSIC复合材料基体同时，液体金属湿润并渗透到CSIC复合材料基体中、化学反应产生化学键合。随着中间层残余固相Ni层中的原子进一步扩散到液体金属中，并与液相中的TI结合，产生高熔点的Ni-Ti金属间化合物，最终由于熔点高于焊接温度而凝固，即发生"等温凝固"现象。冷却后，机械咬合与化学反应相结合的连接机制完成了C/SiC复合材料本体的连接。

实施例1：待焊面与C纤维编织体平行的二维C/SiC复合材料。

抛光二维C/SiC复合材料待焊面，去除表面SiC层，清洗无水乙醇溶剂中的超声波，去除油污，冲洗干净。Ti箔厚度为18μm、Ni箱厚度为15μm。超声波在无水乙醇溶剂中清洗Ni箔。酸洗Ti箔去除表面氧化膜，用Ni箔清洗去离子水中的超声波。

干燥C/SiC复合材料，Ti箔、Ni箔，然后在焊接前安装卡片，在下压头1上放置陶瓷阻焊层2，在陶瓷阻焊层2上放置C/SiC复合材料3，放置与焊接C/SiC复合材料等大型金属中间层，然后放置另一种C/SiC复合材料。最后，在C/SiC复合材料3和上压头4之间放置陶瓷阻焊层2，并施加预压力压实焊件。金属中间层组合成Ti/Ni/Ti结构。

关闭真空室门，抽真空至6.3×10³Pa，焊接压力为0.2 MPa，并保持到焊接结束。然后以5℃/min的速度加热到1000℃和120min的焊接温度，然后以3℃/min的速度冷却到500℃，然后冷却到室温。

焊接后接头的剪切强度为12MPa。