通常，半导体器件是通过在作为半导体衬底的晶圆上选择性地重复执行光刻、蚀刻、扩散、离子注入和金属沉积等工艺制成的。在这些不同的工艺中经常执行的工艺之一是扩散工艺，用于在晶片上浸渍P型或N型杂质或形成或生长特定薄膜，例如氧化膜或氮化物膜。在该扩散过程中，使用化学气相沉积（CVD）方法。CVD方法是通过在晶片表面向设备提供化学源以引起晶片表面的扩散，在晶片上沉积介电膜，导电膜，半导体膜等的技术。CVD 和大气压 CVD。此外，通常使用等离子体CVD或光激发CVD。其中，LP（低压）CVD主要用作在低于常压的压力下在晶圆表面沉积必要材料的方法。采用LPCVD法的扩散工艺主要具有均匀性好、重复性好、缺陷率低等优点 1是立式扩散炉的结构示意图。如图1所示，立式扩散炉1主要包括立式扩散炉1、立式扩散炉1、立式扩散炉1、外管3、加热器块4、法兰10、舟5和吊卡盖6。内管2是由石英制成的圆柱形管，在船上插入装有多个晶片W的舟5，形成一个空间，在该空间中化学气相沉积在晶片W上进行。外管3具有纵向形状，2）以预定间隔。外管3包围外管3，将外管3的内温加热到工艺所需的适当温度。加热器块4设置在法兰10上。内管2和外管3分别设置在法兰10上。吊卡盖6附在法兰10的下端，用于升降舟5并密封外管3和法兰10的内侧。法兰10具有垂直体11的上部设置有上联轴器部分12，该耦合部分沿水平方向突出，其中设置内管2和外管3，下联轴器部分13与本体11的下部形成一体，以便沿水平方向突出并设置电梯盖6。本体11具有本体11，真空口14与真空室11a的空心11a相通形成。用于注入扩散气体的气体端口15在本体11的一侧形成以便与空心11a相通。这样形成的立式扩散炉1连接到真空泵（未示出）连接到真空口14以抽空法兰10的内部和内管2，然后通过气体口15注入用于扩散的气体以转移堆叠在船上的晶片W， 上述扩散扩散炉是一种常用的类型，最近开发的扩散法兰已经开发出带有冷却装置的扩散法兰，以防止过高的温度转移到晶圆上。韩国专利公开号2006-0117588（一种扩散炉和一种用于制造具有冷却系统的集成电路的扩散炉冷却方法）is公开为随装置提供的扩散法兰。如图2所示，在纸10中形成法兰和冷却管65，以便作为冷却液流动的通道。此时，冷却管65与供料管67和排放管61连接。流量控制阀63和69可以连接到供应管67和排放管61中的任何一个，以根据来自控制器83的信号调节流经冷却管65的冷却剂的流量同时，扩散炉中使用的大多数法兰都是在韩国生产和使用的，最大可达250毫米， 但 300 mm 法兰完全依赖进口。最近，海力士半导体和三星电子等半导体公司的300mm扩散法兰的制造方法与300mm线相同，但没有应用于300mm线的扩散法兰的制造技术。300mm扩散法兰的制造方法需要焊接工艺，需要耐高温的耐用性，需要技术，并且必须伴随着可以控制温度的冷却技术。

本文提供一种300毫米扩散法兰及其制造方法，本文的目的是提供一种能够防止冷却和法兰上结露的技术。本文提供一种常规的扩散法兰，包括本体、上紧固部分和下紧固部分、真空口和气体入口，其中，在上部紧固部分和下部紧固部分，在冷却管路内部形成圆形冷凝发生管并排放水蒸气的防止装置设置在第一冷却管路的上部或下部联轴器部分，第二冷却管线用于循环冷却水一圈，第一进气口在体内形成多个小直径进气口，在第一注气口的另一侧形成大直径的第二注气口，以便顺利混合待注入的气体。一种扩散法兰的制造方法，其中在下部形成上紧固部分和下紧固部分，并在主体中形成真空口和气体注入口以便与空心部分相通，用圆形冷却盖封闭冷却槽部分并将冷却槽部分焊接到冷却槽部分以使冷却水通过冷却槽部分两端的冷却盖， 冷却排气口相互焊接形成冷却装置， 在上紧固部分或下紧固部分的外侧形成冷却装置， 形成冷凝槽形部分; 靠近结露的盖槽圆形轮辋，焊接粘结的步骤;而形成防结露装置是通过焊接水蒸气排放口，使凝结盖穿透冷凝槽和冷凝槽部分的任一个。预计本发明的扩散法兰可以对国内市场和出口行业做出巨大贡献，因为它被设计为应用于完全依赖进口的300毫米法兰。优点是可以有效地用于制造的罩式扩散炉。

图3是根据本文实施例的扩散法兰的透视图，图4是根据本发明优选实施例的扩散法兰的剖视图，图5是图3部分B中详细显示防结露装置结构的透视图。参考图3，熔融法兰100是通过在垂直空心圆柱体110上水平突出上紧固部分111和下紧固部分112而形成的整体。本体110、上半身110、上半身111和下半身112通过使用车床焊接和铣削连接在一起，或者可以通过模具整体成型。上部连接部分111和下部联轴器部分112是啮合装置，例如形成突出物或凹槽，以固定在内管、外管或电梯室的扩散装置上。以这种方式形成的扩散法兰100的本体110在其一侧具有连接到真空泵（未示出）的真空口（未示出），并且在本体110的一侧和另一侧形成气体入口。[气体入口的形成使得第一入口120a和第二入口120b彼此面对。第一入口120a由多个具有小直径的小通道形成以注入少量气体，第二入口120b形成具有大直径的大通道以注入大量气体。用于施加氧化膜的气体通过法兰100的气体入口引入，并且这些气体进入法兰100并相互混合。此时，少量气体流入第一入口120a，大量气体流入第二入口120b并根据混合物的量混合。（120b）形成彼此面对。当不同的气体混合时，通过在法兰中心将气体相互混合来实现气体的混合。法兰（100）设有冷却装置。冷却装置包括第一冷却管线130a，形成在上部连接部分111内部形成净管131a并使冷却水循环一圈，第二冷却管线130b形成于下部连接部分112内部的净耦合部分112和第二冷却管线130b形成，使冷却水旋转一圈。如图4所示，在上下联轴器部件111和112的外表面上形成圆形冷却槽135a和135b，冷却槽135a和135b不是形成完整的圆形，而是在冷却槽135a和135b的一侧形成一个入口， 以这种方式形成的冷却槽135a和135b被焊接到入口上，以便通过冷却供应口132a穿透冷却盖136a和136b，并且焊接排气口132b以穿透冷却盖136a和136b，以防止制冷剂在冷凝器130中冷凝。所述防止冷凝装置140还设置在本发明的扩散融合100中。通过冷却装置冷却到扩散法兰100，扩散法兰100在高温下产生热量防止结露装置140设置在下联轴器部分112的第二冷却管线130b内，以防止结露过程中发生结露。管 140.防结露单元140可以通过在下部连接单元112的外表面上将结露单元145弯曲成小于第二冷却线130b的圆形来形成结露单元140。露水凝结槽部分145焊接在露水凝结盖146上。结露盖146形成以便通过形成一个水蒸气排放口142与冷凝露水部分145相通，以这种方式形成的防结露装置140将扩散法兰100通过冷却装置140加热和冷却时产生的结露凝结成水，形成结露槽部分145中的水，防止结露装置140， 由于扩散法兰100是热的，因此这种冷凝水被水蒸气汽化，防止结露装置140不仅在下耦合部分112中形成，而且在上耦合部分111以及下耦合部分112中形成。可选地，防结露装置140可以仅在上部接头部件111上形成。